微納加工技術是指特征尺寸在亞微米至納米量級的結構加工方法，它是現代微電子、微機電系統和光子學器件制造的技術基石。與傳統的宏觀機械加工不同，微納加工涉及的尺度接近甚至小于光波的波長和電子的平均自由程，許多宏觀尺度下可忽略的物理效應變得至關重要，這也決定了微納加工所采用的技術路線有著本質上的特殊性。

光刻技術是微納加工的核心環節。它通過輻照源對感光材料進行選擇性曝光，將掩模版上的圖形轉移到光刻膠上。深紫外光刻使用193納米波長的光源，配合浸沒式技術和多重曝光方案，能夠實現7納米乃至更小節點的線寬。極紫外光刻則將波長縮短至13.5納米，大幅降低了衍射效應，是目前先進邏輯芯片制造的主力技術。然而，這些設備造價高昂、運行維護復雜，并非所有研究和生產場景都適用。

電子束光刻是另一種重要的微納加工手段，它利用聚焦的電子束直接掃描曝光，無需物理掩模版。由于電子的德布羅意波長極短，電子束光刻能夠實現亞10納米的分辨率，在掩模版制造、原型器件驗證和基礎研究中占據重要地位。其不足之處在于掃描速度較慢，難以滿足大規模量產對吞吐量的需求。

除了光刻，刻蝕工藝決定了圖形從光刻膠轉移到功能材料上的質量。干法刻蝕利用等離子體中的活性粒子與材料發生化學反應或物理轟擊，能夠實現各向異性的精細圖形轉移。濕法刻蝕則依靠化學溶液對材料的溶解作用，通常為各向同性，適用于特定材料的整面去除。

薄膜沉積技術為微納結構提供了材料來源。物理氣相沉積如磁控濺射和電子束蒸鍍，通過高能粒子轟擊或加熱使靶材材料氣化后在襯底上凝結成膜。化學氣相沉積利用氣態前驅體在襯底表面的化學反應生成固態薄膜，在氮化硅、多晶硅等薄膜制備中應用廣泛。原子層沉積通過自限性的交替反應實現了單原子層精度的薄膜生長，對高深寬比結構的保形覆蓋能力尤為突出。

在微機電系統領域，體硅加工和表面硅加工是兩條典型的技術路線。體硅加工對硅襯底本身進行深刻蝕，形成懸臂梁、質量塊等可動結構；表面硅加工則在襯底表面逐層沉積和釋放犧牲層，構建復雜的微機械系統。這兩種方法催生了加速度計、陀螺儀、微鏡陣列和壓力傳感器等批量生產的微器件。

近年來，微納加工技術正朝著更大尺寸晶圓、更高深寬比和多材料異質集成方向演進。同時，柔性襯底上的微納加工也受到關注，為可穿戴電子和生物醫療器件開辟了新途徑。可以預見，隨著工藝精度的進一步提升和成本的持續優化，微納加工技術將在更廣泛的產業領域釋放潛力。